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QS5U21
Transistor
2.5V Drive Pch+SBD MOS FET
QS5U21
Structure
Silicon P-channel MOS FET
Schottky Barrier DIODE
External dimensions (Unit : mm)
TSMT5
1.0MAX
2.9
1.9
0.95 0.95
0.85
0.7
Features
1) The QS5U21 combines Pch MOS FET with a
(5)
(4)
0~0.1
Schottky barrier diode in a TSMT5 package.
2) Low on-state resistance with fast switching.
(1)
(2)
(3)
0.4
0.16
3) Low voltage drive(2.5V)
4) Built-in schottky barrier diode has low forward voltage.
Applications
Load switch, DC/DC conversion
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : U21
Packaging specifications
Package
Taping
Equivalent circuit
Type
Code
TR
(5)
(4)
QS5U21
Basic ordering unit
( pieces )
3000
? 2
(1)
(2)
? 1
(3)
( 1 ) ANODE
( 2 ) SOURCE
( 3 ) GATE
( 4 ) DRAIN
( 5 ) CATHODE
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
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